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  • 2019

    4-28

    Dake壓片機維護保養(yǎng)要注意的方方面面Dake壓片機的輕微故障如何快速檢查和處理:壓片機是壓片的重要設備之一,也是目前國內(nèi)大中小制藥企業(yè)用來制成片劑的到的設備,制藥壓片的它的主要用途是是將各種調(diào)制好的粉末或顆粒材料壓成規(guī)格不等的片狀,或者是各種異形狀,方便商家的運輸,人們的攜帶方便和使用簡單。Dake壓片機的維護保養(yǎng)及備件Dake壓片機在使用過程中出現(xiàn)的故障,有相當一部分是由于維護保養(yǎng)不及時所造成的,維護保養(yǎng)主要應注意以下幾個方面:(1)對壓片室及時清場。Dake壓片機在連續(xù)...

  • 2019

    4-9

    目的:開發(fā)一種快速、準確的生物分子層厚度評估方法測量的方法:引入WLRS用于測量各層的厚度,評價生物分子固定在固體表面上的有效性及其與相應生物分子的后續(xù)反應。特別研究了兔(RgG)和小鼠γ-球蛋白(MgG)的吸附及其與互補抗體的反應。通過配備有0.35nm光學分辨率的VIS-NIR光譜儀和白光鹵素燈的FR-Basic進行測量?;迨呛穸燃s為1000nm的熱生長SiO2薄膜的硅晶片。結果:在圖1中,描述了在RGG–Antigg系統(tǒng)中不同層的光譜,其中顯示了由于不同生物分子層的結...

  • 2019

    4-9

    薄膜厚度均勻性和光學特性(N&K)是集成電路和MEMS制造過程中的一個關鍵參數(shù)。薄膜沉積控制可以產(chǎn)生高質(zhì)量的圖形,并確保在光刻步驟之后的器件性能。除了在半導體開發(fā)的步中對薄膜進行檢查的必要性外,還需要在后階段進行檢查,在這一階段進行封裝(在集成電路頂部涂上一層涂層,以保護其免受物理損傷和腐蝕)。在這里,我們使用了FR-Scanner來繪制兩個商業(yè)光刻電阻的厚度圖,這兩個光刻電阻沉積在300毫米硅晶片上,用于封裝應用。FR-Scanner是一種工具,用于自動表征硅和其他尺寸達4...

  • 2019

    4-9

    通過白光反射光譜(WLRS)和FR映射器繪制薄膜厚度目標:在大面積上表征薄膜厚度均勻性。測量方法:采用Fr-Basic與Fr-Mapper相結合的方法,在大面積的預定點上快速、準確地測量薄膜厚度。當樣品固定在一個Fr-Mapper上時,所有的測量都用一個Fr-Basic進行調(diào)節(jié),使其在540-1000納米的光譜范圍內(nèi)工作。反射探頭的有效光斑直徑為0.5毫米。樣品是涂有SiO2(熱的或TEOS)和Si3N4(LPCVD)/SiO2(熱的)4英寸硅晶片。在參考測量中,使用了高反射...

  • 2019

    4-9

    鈣鈦礦廣泛用于太陽能電池的開發(fā)。由于這些類型的太陽能電池具有良好的光伏性能,因此對它們進行了系統(tǒng)的研究。鈣鈦礦薄膜的厚度和形態(tài)是影響太陽能電池性能的重要因素。特別地,人們發(fā)現(xiàn),當鈣鈦礦的厚度小于400nm時,鈣鈦礦太陽能電池的效率很大程度上取決于薄膜厚度;而當鈣鈦礦的厚度大于400nm時,效率則很大程度上取決于鈣鈦礦層的薄膜形態(tài)。在本應用說明中,我們使用FR工具測量鈣鈦礦薄膜的厚度。測量方法:用于表征的樣品是兩種不同厚度的CH3NH3PbBr3鈣鈦礦薄膜,它們位于標準ITO/...

  • 2019

    2-25

    WS1000濕法刻蝕機適用于哪些工藝行業(yè)中WS1000濕法刻蝕機是由全白色聚丙烯構造,可內(nèi)置任何旋涂機及顯影機,排放簡便的入氮口和DI噴頭,如果需要單工的系統(tǒng),可選擇WS-1000M濕法刻蝕設備,WS1000濕法刻蝕機旋轉處理濕法設備可以被配置成測試模塊構造,安裝簡便,易于拆卸,更便于操作者控制。WS1000濕法刻蝕機工作原理:WS1000濕法刻蝕機具有可編程閥,它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應用的要求重復進行,如沖洗(通常是去離子水或溶劑),然后干燥(通常是氮...

  • 2018

    10-29

    德國Diener等離子清洗機使用過程及其結合的技術應用德國Diener等離子清洗機操作過程:人工將產(chǎn)品不停的放入流水線上,不停的傳送,直噴噴槍或旋轉噴槍不停的工作清洗產(chǎn)品表面,清洗一個產(chǎn)品大約需要12S,(清洗速度可根據(jù)流水線轉速可調(diào)節(jié),流水線轉速越快則效率越高)兩把風槍清洗,故清洗一個產(chǎn)品只需要6S,提率,清洗完后自動流出,人工取出產(chǎn)品。等離子體是在氣體受到高能量放電時產(chǎn)生的:氣體分解成電子,離子,高度活性自由基,短波紫外光子和其他激發(fā)粒子。這些物質(zhì)當被高能量放電激發(fā)時有效...

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