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具有可控和可調(diào)節(jié)表面化學(xué)性質(zhì)的清潔表面對(duì)于改善材料的界面，生物和電子性能，以獲得Zjia的設(shè)備和結(jié)構(gòu)性能至關(guān)重要。等離子體表面處理可去除納米級(jí)有機(jī)污染物，并在不影響整體材料的情況下改變表面化學(xué)性質(zhì)。等離子清洗的好處等離子體清潔是通過化學(xué)反應(yīng)（O2或空氣等離子體）或物理消融（Ar等離子體）去除有機(jī)污染物。等離子體處理還在表面上引入了化學(xué)官能團(tuán)（羰基，羧基，羥基），使大多數(shù)表面具有親水性，水接觸角的減小和潤(rùn)濕性的提高。清潔且親水的表面通常對(duì)于促進(jìn)附著力和增強(qiáng)與其他表面的粘合至關(guān)重...

硅的各向異性濕法腐蝕是一種常用的制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的體硅微加工技術(shù)，因?yàn)槠鋵?shí)現(xiàn)相對(duì)容易，成本也相對(duì)低廉。而且，在大多數(shù)工藝中不需要消耗電力資源。在這一過程中，其反應(yīng)為：Si+4H2O-Si(OH)4+2H2氫氧根離子沒有明確出現(xiàn)在反應(yīng)中，但它十分重要，因?yàn)樗呋磻?yīng)并確保Si(OH)4產(chǎn)物在溶液中的溶解度。腐蝕的速率取決于溫度、蝕刻劑組成和表面的晶體學(xué)取向關(guān)系。值得注意的是，因?yàn)檫@種反應(yīng)只涉及到化學(xué)反應(yīng)，當(dāng)半導(dǎo)體的電位被外部電源改變使，它的反應(yīng)速率卻不受影響。各向異性所有堿性蝕刻...

ICP/RIE蝕刻應(yīng)用范圍：-Si，SiO2，SiN蝕刻工藝-Al，Cr，Ti，TiW，Au，Mo等金屬蝕刻工藝-晶圓尺寸：一片，4英寸，6英寸晶圓RIE等離子刻蝕案例：SiO2/SiN蝕刻80sccmCF4，均勻性幾種功率水平下的壓力與蝕刻速率（如下圖）：PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料，擁有模塊化腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小，觸摸屏計(jì)算機(jī)控制，多級(jí)程序控制和組件控制，操作簡(jiǎn)單。用于研究、工藝開發(fā)和批量生產(chǎn)，...

“納米壓印技術(shù)”展示了通過在溫度和壓力控制的印刷過程中使熱塑性材料物理變形來執(zhí)行低于100nm平行光刻的能力。使用通過電子束光刻和干刻蝕圖案化的硅壓模來實(shí)現(xiàn)。這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于，可使用具有納米圖案的硅“母版”，進(jìn)行成千上萬次復(fù)制，從而降低成本并提高產(chǎn)量，用于半導(dǎo)體工藝中的開發(fā)個(gè)研究。包含的技術(shù)：熱壓印、UV紫外壓印、微米結(jié)構(gòu)壓印（µCP）、卷對(duì)卷壓印和注塑成型等。典型的基材材料：硅，熔融石英，III-V材料和聚合物材料等。典型的壓印聚合物：PMMA，COC，COP...

結(jié)合使用等離子處理和旋涂，研究人員可以獲得具有更高穩(wěn)定性和性能的均勻材料涂層。等離子體處理通過引入含有親水性氧的官能團(tuán)來改變表面化學(xué)性質(zhì)。極性基團(tuán)使基材可潤(rùn)濕，并且能夠更好地與水溶液相互作用。等離子處理促進(jìn)了粘附力并在基材上平滑鋪展。旋涂設(shè)備利用離心力來產(chǎn)生水平，均勻的薄膜和涂層。通過試驗(yàn)轉(zhuǎn)速和加速度，研究人員可以JINQUE地確定特定的膜厚。旋涂可改善設(shè)備質(zhì)量和專業(yè)外觀。這些工具可以無縫地協(xié)同工作，以在各種基材上提供均勻的膜和涂層。在許多應(yīng)用中，一致的涂層特性可提高穩(wěn)定性和...

目前，越來越多的原子力顯微鏡被引入到各項(xiàng)研究中，但是相信很多科研人員會(huì)發(fā)現(xiàn)，做了幾次樣品后，針尖或者懸臂梁總會(huì)有東西粘附上去了，圖像質(zhì)量和原來的形貌出入太大，沒有多少細(xì)節(jié)，甚至出現(xiàn)雙針尖現(xiàn)象，這個(gè)時(shí)候，被污染的針尖已經(jīng)嚴(yán)重影響到實(shí)驗(yàn)。而AFM探針針尖應(yīng)該怎樣清洗才合適呢，這個(gè)問題一直困擾著科研人員。粒子探針一般采用的是紫外臭氧清洗技術(shù)來清洗有機(jī)物，紫外臭氧技術(shù)*是光子輸出，對(duì)探針表面不會(huì)造成任何損傷，是一種溫和的清洗方法。PSD和PSDP系列紫外臭氧系統(tǒng)通過產(chǎn)生185nm和2...

鈣鈦礦廣泛用于太陽能電池的開發(fā)。由于這些類型的太陽能電池具有良好的光伏性能，因此對(duì)它們進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。鈣鈦礦薄膜的厚度和形態(tài)是影響太陽能電池性能的重要因素。人們發(fā)現(xiàn)，特別當(dāng)鈣鈦礦的厚度小于400nm時(shí)，鈣鈦礦太陽能電池的效率很大程度上取決于薄膜厚度；而當(dāng)鈣鈦礦的厚度大于400nm時(shí)，效率則很大程度上取決于鈣鈦礦層的薄膜形態(tài)。在本篇方案說明中，我們使用FR-pRoVIS/NIR測(cè)量鈣鈦礦薄膜的厚度。FR-pRoVIS/NIR測(cè)量方法：用于表征的樣品是兩種不同厚度的CH3NH3...