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太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法(二)

更新時(shí)間:2025-01-08      點(diǎn)擊次數(shù):198

 

太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法(二)

 

3.動(dòng)態(tài)伏安測(cè)量

在動(dòng)態(tài)I-V測(cè)量中,測(cè)量各種電壓下的電流響應(yīng),就像J-V掃描一樣。但是,在這種測(cè)量中,在記錄電流密度之前,需要等待測(cè)量值穩(wěn)定一段時(shí)間。

這給出了太陽(yáng)能電池性能的非常精確的表示。事實(shí)上,一項(xiàng)比較不同實(shí)驗(yàn)室對(duì)太陽(yáng)能電池測(cè)量的研究認(rèn)為,這是表征鈣鈦礦太陽(yáng)能電池好的方法。然而,完整的J-V掃描可能需要很長(zhǎng)時(shí)間來(lái)測(cè)量,尤其是如果太陽(yáng)能電池表現(xiàn)出動(dòng)態(tài)行為。例如,使用動(dòng)態(tài)I-V測(cè)量來(lái)測(cè)量鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的一條J-V曲線需要幾個(gè)小時(shí)。

只有在絕對(duì)確定地測(cè)量太陽(yáng)能電池的J-V特性時(shí),并且只有當(dāng)您測(cè)試的太陽(yáng)能電池在光照下(如鈣鈦礦太陽(yáng)能電池)表現(xiàn)出動(dòng)態(tài)特性時(shí),才需要進(jìn)行這種測(cè)量。

 

4.理想因子和光強(qiáng)研究

研究太陽(yáng)能電池在不同光強(qiáng)下的性能可以幫助你識(shí)別這些太陽(yáng)能電池中不同的重組機(jī)制。你可以通過(guò)確定太陽(yáng)能電池的理想系數(shù)來(lái)發(fā)現(xiàn)這一點(diǎn)。根據(jù)太陽(yáng)能電池理論,我們知道電流隨器件上施加的電壓而變化,關(guān)系式如下:

 圖片1.png

在這個(gè)等式中,J是電流,V是電壓,T是溫度,n(nid)是理想因子。對(duì)于ideal"二極管,可以假設(shè)n=1。然而,通過(guò)找到理想因子nid,可以獲得器件中發(fā)生的重組類型的有價(jià)值信息。

 

太陽(yáng)能電池的理想系數(shù)將根據(jù)半導(dǎo)體中的主要復(fù)合機(jī)制而變化。復(fù)合可以發(fā)生在半導(dǎo)體帶隙內(nèi),或者發(fā)生在吸收材料和電荷傳輸層之間的界面上。此外,你可以將重組分為單分子或雙分子。

 

雙分子復(fù)合(rbi)與輻射復(fù)合相同。它包括導(dǎo)帶中的一個(gè)電子與價(jià)帶中的一個(gè)空穴結(jié)合,從而產(chǎn)生一個(gè)光子。然而,你也可以有非輻射復(fù)合來(lái)捕獲吸收體內(nèi)的態(tài),否則稱為Shockley-Read-Hall復(fù)合。這發(fā)生在帶隙(rSRH)內(nèi),由于電子和空穴分開(kāi)移動(dòng),也稱為單分子復(fù)合。與rSRH相比,rbi的量不取決于材料的缺陷密度,而是取決于半導(dǎo)體的光學(xué)特性。如果雙分子重組占優(yōu)勢(shì),理想因子將接近1,如果單分子重組占優(yōu)勢(shì),理想因子將接近2 

圖片2.png

你可以從黑暗的J-V曲線測(cè)量理想因子。然而,這種測(cè)量不能解釋當(dāng)半導(dǎo)體被照射時(shí),一些淺缺陷陷阱態(tài)被快速填充的事實(shí)。在這里,太陽(yáng)能電池工作得非常好。

 

另一種測(cè)量太陽(yáng)能電池理想系數(shù)的可靠方法是進(jìn)行光強(qiáng)度研究。要做到這一點(diǎn),您可以在1個(gè)太陽(yáng)的不同分?jǐn)?shù)和/或倍數(shù)下測(cè)量太陽(yáng)能電池的J-V曲線,VOC和光強(qiáng)度之間的線性關(guān)系將為您提供理想系數(shù)。其他器件指標(biāo)也可以讓您深入了解器件中占主導(dǎo)地位的重組機(jī)制。有趣的是,最近的研究發(fā)現(xiàn),不同的度量對(duì)光強(qiáng)有不同的依賴性。例如,雖然有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池顯示出JSC對(duì)光強(qiáng)的準(zhǔn)線性依賴性,但是VOCFF的依賴性在高和低光強(qiáng)下是不同的。

 

已經(jīng)使用各種模型來(lái)模擬這種光強(qiáng)依賴性。通過(guò)將實(shí)驗(yàn)結(jié)果與這些理論模型進(jìn)行比較,光強(qiáng)度研究表明了您的設(shè)備的許多情況,包括:

·如果您的設(shè)備中有明顯的分流或串聯(lián)電阻。

·SC材料的陷阱密度。

·是體復(fù)合還是界面復(fù)合占優(yōu)勢(shì)。

為了進(jìn)行這些測(cè)量,你的光強(qiáng)度源需要被校準(zhǔn)到多個(gè)太陽(yáng)值。你需要用一個(gè)參考太陽(yáng)能電池來(lái)做這件事。對(duì)于LED光源太陽(yáng)能模擬器,您可以通過(guò)改變光源的電源來(lái)改變?cè)O(shè)備上的入射光強(qiáng)度?;蛘撸梢酝ㄟ^(guò)將光源徑向遠(yuǎn)離設(shè)備來(lái)進(jìn)一步降低功率輻照度。尤其重要的是,無(wú)論何時(shí)移動(dòng)設(shè)備測(cè)試設(shè)備,都要從外部檢查太陽(yáng)輻照度。

 

 

 

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