促進(jìn)MicroChem光刻膠研究開(kāi)發(fā)和應(yīng)用
MicroChem光刻膠是芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料,芯片制造要根據(jù)具體的版圖(物理設(shè)計(jì),layout)設(shè)計(jì)出掩模板,然后通過(guò)光刻(光線通過(guò)掩模板,利用光刻膠對(duì)裸片襯底等產(chǎn)生影響)形成一層層的結(jié)構(gòu),后形成3D立體電路結(jié)構(gòu),從而產(chǎn)生Die(裸片)。工藝的發(fā)展,光刻機(jī)的發(fā)展,材料學(xué)的同步發(fā)展才能促進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。
MicroChem光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。
MicroChem光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,品類較多,根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對(duì)某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能,將光刻膠做涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
MicroChem光刻膠參數(shù)主要包括以下幾種:
1)分辨率,用關(guān)鍵尺寸(摩爾定律)來(lái)衡量分辨率;
2)對(duì)比度,光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)度的陡度,會(huì)對(duì)芯片制造良率產(chǎn)生影響;
3)粘滯性粘度,衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù);
4)敏感度,產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的小能量值(小曝光量);
5)粘附性,粘附于襯底的強(qiáng)度;
6)抗蝕性,光刻膠要保持粘附在襯底上并在后續(xù)刻蝕工序中保護(hù)襯底表面;