等離子刻蝕機的原理是在真空狀態(tài)下，利用射頻輻射使得氧、氬、氮、四氟化碳等氣體生成具有高反應(yīng)活性的離子與器件等反應(yīng)形成揮發(fā)性化合物，然后由真空系統(tǒng)獎這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去。

　　等離子刻蝕機檢驗操作及判斷

　　1.確認萬用表工作正常，量程置于200mV。

　　2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。

　　3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P型，刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為P型。

　　4.如果經(jīng)過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進行刻蝕。

　　等離子刻蝕機處理模式：

　　直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得zui大的平面刻蝕效果。

　　定向模式——需要非等向性刻蝕（anisotropicetching）的基片可以放置在特制的平面托架上。

　　下游模式——基片可以放置在不帶電托架上，以便取得微小的等離子體效果。

　　定制模式——當平面刻蝕配置不過理想時，特制的電極配置可以提供。

　　以上便是今天關(guān)于等離子刻蝕機的檢驗操作及處理模式都在這兒了的全部分享了，希望對大家今后使用本設(shè)備能有幫助。