MicroChem光刻膠是一種可塑性高分子（聚合物）材料，通過(guò)紫外線曝光進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成圖案。光刻膠通常是涂覆在硅片或其他襯底表面的薄膜，其厚度可以從幾個(gè)納米到數(shù)百微米不等?？涛g過(guò)程中，光刻膠起到保護(hù)襯底或已刻蝕部分不受刻蝕劑侵蝕的作用，從而形成所需的結(jié)構(gòu)。
MicroChem光刻膠類(lèi)別：
MicroChem生產(chǎn)多種類(lèi)型的光刻膠，包括正/負(fù)光刻膠和超臨界流體光刻膠等。其中常用的是正/負(fù)光刻膠。
正/負(fù)光刻膠：正/負(fù)光刻膠基于光敏聚合物的化學(xué)反應(yīng)類(lèi)型不同，可以分為正光刻膠和負(fù)光刻膠。
正光刻膠是一種通過(guò)紫外線曝光后形成的高分子結(jié)構(gòu)可控制的光刻膠。在曝光后，光刻膠中的光敏劑會(huì)引發(fā)聚合物鏈的交聯(lián)反應(yīng)，從而使光刻膠變得更加耐刻蝕。在刻蝕過(guò)程中，未經(jīng)曝光的部分被刻蝕走，而曝光部分則保留下來(lái)作為所需圖案的模板。
負(fù)光刻膠與正光刻膠相反，是一種通過(guò)曝光后形成無(wú)法刻蝕的區(qū)域的光刻膠。在曝光后，光刻膠中的光敏劑會(huì)引發(fā)聚合物鏈的斷裂反應(yīng)，從而形成無(wú)法刻蝕的結(jié)構(gòu)。在刻蝕過(guò)程中，僅經(jīng)過(guò)曝光的部分被刻蝕走，未經(jīng)曝光的部分則保留下來(lái)作為所需圖案的模板。
超臨界流體光刻膠：超臨界流體光刻膠是一種利用超臨界CO2作為溶劑的光刻膠。這種光刻膠具有更高的分辨率和更快的刻蝕速度，同時(shí)還能提供更好的剝離性能和更少的殘留物。
MicroChem光刻膠被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、生物芯片、MEMS等行業(yè)。在半導(dǎo)體工業(yè)中，光刻膠通常用于制作集成電路（IC）的掩模圖案。在生物芯片中，光刻膠則被用于制造微流控芯片及用于生物檢測(cè)的光學(xué)生物芯片。在MEMS中，光刻膠則被用于制造微機(jī)械系統(tǒng)（如微型傳感器和執(zhí)行器）。
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