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簡要描述:Tergeo EM型SEM及TEM樣品/樣品桿清潔等離子清潔儀美國PIE Scientific專注研發(fā)*實(shí)驗(yàn)室用等離子儀器,用于SEM/TEM樣品清潔、光刻膠蝕刻、等離子體增強(qiáng)沉積、表面處理與活化。我們的宗旨是:將半導(dǎo)體和核工程研究中開發(fā)的等離子技術(shù)集成到經(jīng)濟(jì)實(shí)用的實(shí)驗(yàn)室用等離子儀器。
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美國PIE Scientific專注研發(fā)*實(shí)驗(yàn)室用等離子儀器,用于SEM/TEM樣品清潔、光刻膠蝕刻、等離子體增強(qiáng)沉積、表面處理與活化。我們的宗旨是:將半導(dǎo)體和核工程研究中開發(fā)的等離子技術(shù)集成到經(jīng)濟(jì)實(shí)用的實(shí)驗(yàn)室用等離子儀器。
污染物對電子顯微鏡SEM/TEM和其它高真空系統(tǒng)產(chǎn)生的影響
潤滑劑、真空脂、泵油樣品中的高分子聚合物,或未經(jīng)處理的空氣都會(huì)把碳?xì)湮廴疚镆秸婵障到y(tǒng)中。低蒸汽壓下高分子重污染物會(huì)凝聚在樣品表面和腔室壁上,而使用普通氣體吹掃方法很難把碳?xì)湮廴疚锴宄?/span>
電子和高能光子(EUV, X-ray)能夠分解存在于真空系統(tǒng)中或樣品上的碳?xì)湮廴疚铩L細(xì)浠衔锏姆纸猱a(chǎn)物沉積在被觀測的樣品表面或電子光學(xué)部件上。這種碳?xì)湮廴境练e會(huì)降低EUV的鏡面反射率,降低SEM圖像對比度和分辨率,造成錯(cuò)誤的表面分析結(jié)果,沉積在光闌或其它電子組件的不導(dǎo)電碳?xì)湮廴疚锷踔習(xí)斐呻娮邮恢没蚓劢咕徛?。?/span>ALD系統(tǒng)中,樣品表面的碳?xì)湮廴疚镞€會(huì)降低薄膜的界面匹配質(zhì)量。
特點(diǎn):
1. 系統(tǒng)具有雙等離子源。浸入式等離子源用于主動(dòng)表面處理、光刻膠蝕刻。遠(yuǎn)程式等離子源用于溫和的污染清除以及脆弱易損樣品的表面活化
2. 13.56MHz高頻射頻發(fā)生器
3. 7英寸觸摸屏控制界面,全自動(dòng)操作
4. 標(biāo)配75W版本,可選150W版本
5. 標(biāo)配2路氣體輸入,可選第三路氣體輸入
6. 可選與FEI、JEOL、HITACHI等TEM樣品桿配套的適配器
7. AC輸入:通用(110~230V, 50/60Hz)
除了Tergeo EM型SEM & TEM樣品清潔等離子清潔儀,另有Tergeo Basic基本型等離子清潔儀和Tergeo Plus型大腔室等離子清潔儀
三、技術(shù)參數(shù)
1、控制系統(tǒng)
1)操作界面:7英寸電阻觸摸屏操作界面,支持多種工作方式。
2)程序控制:可編程,總共有20個(gè)程序,每個(gè)程序有3個(gè)清潔步驟
2、反應(yīng)腔體
1)腔體材質(zhì):圓柱形石英玻璃艙。
2)腔體尺寸:內(nèi)徑110毫米,外徑120毫米,深度280毫米,壁厚:5毫米。
3)前觀測窗:前方開口,5毫米厚石英玻璃可視窗口,可觀測內(nèi)腔等離子狀態(tài),并帶有防真空泄漏和避免高壓的聯(lián)鎖裝置,有效保護(hù)操作的安全性;
3、射頻電源
1)射頻頻率:13.56MHz
2)射頻功率:標(biāo)配0~75W;可選配0~150W。從0瓦到150瓦之間以1瓦間距連續(xù)可調(diào),自動(dòng)阻抗匹配。
3)射頻輸出可以工作在脈沖方式,脈沖比可以從1/255調(diào)到255/255(連續(xù)輸出)。
4、等離子源
1)等離子強(qiáng)度探測器實(shí)時(shí)測量等離子源強(qiáng)度。
2)電阻耦合電離方式。
3)外置電極設(shè)計(jì),高壓電極不合等離子接觸以避免金屬濺射造成的樣品污染。
5、氣體控制
1)氣路控制:標(biāo)配一路MFC;可選配三路MFC;
2)質(zhì)量流量計(jì)可以在0~100sccm之間控制氣體流量;
3)一路(Venting and purging)氣體入口用來快速給樣品室放氣和沖走殘余處理氣體。
4)自動(dòng)放氣流程控制可以保護(hù)真空泵不受影響。
5)高性能氣壓計(jì)可以測量1e-4 Torr到大氣壓之間的氣壓。
6)6mm氣體接口。
6、真空系統(tǒng)
1)KF25法蘭接口用來連接真空泵。
2)真空要求:抽速:>1.7m3/h;
3)低氣壓:<=200mTorr.
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