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快速退火爐系統(tǒng)SS

簡(jiǎn)要描述:快速退火爐系統(tǒng)SSI是一個(gè)簡(jiǎn)單穩(wěn)定的熱處理系統(tǒng),適合于廣泛大尺寸為直徑2~8英寸的基片材料和結(jié)構(gòu)的快速熱低溫退火(RTA),(如電子級(jí)硅、鋼鐵、玻璃、單晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、鍺、超導(dǎo)體、陶瓷等等)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):Solaris Eclipse
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-05-17
  • 訪  問  量:1442

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詳細(xì)介紹

 

美國RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%,處理的大尺寸可以達(dá)到200mm,溫度可以達(dá)到1200攝氏度,處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行,做多可支持4~6路進(jìn)氣,可以用到的氣體包含N2O2,N2H2,ArH2

- 處理時(shí)間:0.1秒至無*;

- 燈管數(shù)量及功率:13支,

- 腔體冷卻:風(fēng)冷方式;

- 襯底冷卻:氮?dú)獯祾撸?/span>

- 工藝氣路:MFC控制,多6 (氮?dú)狻鍤?、氧氣、氫氮混合氣?/span>);

應(yīng)用領(lǐng)域:

快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);

快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

硅化 (Silicidation);

擴(kuò)散 (Diffusion);

化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annealing);

離子注入后退火 (Implant Annealing);

電極合金化 (Contact Alloying);

晶向化和堅(jiān)化 (Crystallization and Densification);

 

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