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簡(jiǎn)要描述:DCH系列高低溫真空探針臺(tái)是我司自主研發(fā)的一款在特殊環(huán)境下給樣品加載電學(xué)信號(hào)的設(shè)備??梢詫?shí)現(xiàn)器件及材料表征的IV/CV特性測(cè)試,射頻測(cè)試,光電測(cè)試等。
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標(biāo)準(zhǔn)探針臺(tái)/DCH系列高低溫真空探針臺(tái)
產(chǎn)品概要
DCH系列高低溫真空探針臺(tái)是我司自主研發(fā)的一款在特殊環(huán)境下給樣品加載電學(xué)信號(hào)的設(shè)備??梢詫?shí)現(xiàn)器件及材料表征的IV/CV特性測(cè)試,射頻測(cè)試,光電測(cè)試等。通過(guò)液氮或者壓縮機(jī)制冷,可以在防輻射屏內(nèi)營(yíng)造一個(gè)穩(wěn)定的測(cè)試環(huán)境。在特殊材料,半導(dǎo)體器件等研究方向具有廣泛運(yùn)用。極低溫測(cè)試:因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí),空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上,會(huì)導(dǎo)致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測(cè)試:當(dāng)晶圓加熱至300°℃,400°C,500℃甚至更高溫度時(shí),氧化現(xiàn)象會(huì)越來(lái)越明顯,并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過(guò)度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差,物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
技術(shù)特點(diǎn)
防輻射屏和熱沉設(shè)計(jì);
降溫速度快,常溫降至 77k<25mins,大大提高測(cè)試效率;
液氮自動(dòng)控制系統(tǒng),液氮流量模塊和溫度控制模塊一起聯(lián)動(dòng)共同控制溫度。
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