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簡要描述:PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的*功能。 腔室材料是硬質陽極氧化鋁, 有幾種不同的電極設計,包括用于反應離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極,用于小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形籠式電極。
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型號: 反應離子刻蝕機PlasmaStar 200/200RIE
產(chǎn)地: 美國
品牌: Axic
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技術規(guī)格:
型號 | PlasmaStar 100 | PlasmaStar 100RIE | PlasmaStar 200 | PlasmaStar 200RIE |
艙體尺寸 | 直徑254×深度356mm | 直徑200×深度280mm | 寬305×高305×深406mm | 寬305 ×高200×深406mm |
艙體材質 | 標配為陽極氧化鋁艙體 | |||
常用氣體 | 空氣,氧氣,氫氣,氬氣,氮氣,CF4,SF6等和其他混合氣體 | |||
氣路控制 | 標配2路MFC,PlasmaStar 100多可選配4路, | 標配2路MFC,PlasmaStar 200多可選配5路; | ||
控制系統(tǒng) | 電阻觸摸屏操作界面 | |||
程序控制 | PC觸屏控制,可編程序,無線存儲數(shù)據(jù) | |||
射頻頻率 | 13.56 MHz | |||
射頻功率 | 0~600W瓦之間距連續(xù)可調,自動匹配 | 0~1000W瓦之間距連續(xù)可調,自動匹配 | ||
電極設計 | 標準圓柱形籠式電極; | 標準圓柱形籠式電極; 可選交替多層托盤電極; 可選RIE平面處理水冷平板電極 | ||
設備尺寸 | 寬800 x 深850 x 高525mm; | 寬1033 x 深850 x 高635mm; |
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