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等離子刻蝕機

簡要描述:PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的*功能。 腔室材料是硬質陽極氧化鋁, 有幾種不同的電極設計,包括用于反應離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極,用于小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形籠式電極。

  • 產(chǎn)品型號:PlasmaStar 200/200 RIE
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2024-05-16
  • 訪  問  量:5829

詳細介紹

型號: 反應離子刻蝕機PlasmaStar 200/200RIE

產(chǎn)地: 美國

品牌: Axic

環(huán)球供應,本地服務!MYCRO專業(yè)為您提供實驗室RIE反應離子刻蝕機設備,*的技術服務及售后,MYCRO值得您的的信賴!

技術規(guī)格:

型號

PlasmaStar  100

PlasmaStar

100RIE

PlasmaStar 200

PlasmaStar 200RIE

艙體尺寸

直徑254×深度356mm

直徑200×深度280mm

305×高305×深406mm

305 ×高200×深406mm

艙體材質

標配為陽極氧化鋁艙體

常用氣體

空氣,氧氣,氫氣,氬氣,氮氣,CF4SF6等和其他混合氣體

氣路控制

標配2MFC,PlasmaStar  100多可選配4路,

標配2MFC,PlasmaStar  200多可選配5路;

控制系統(tǒng)

電阻觸摸屏操作界面

程序控制

PC觸屏控制,可編程序,無線存儲數(shù)據(jù)

射頻頻率

13.56 MHz

射頻功率

0~600W瓦之間距連續(xù)可調,自動匹配

0~1000W瓦之間距連續(xù)可調,自動匹配

電極設計

標準圓柱形籠式電極;

標準圓柱形籠式電極;

可選交替多層托盤電極;

可選RIE平面處理水冷平板電極

設備尺寸

 800 x 850 x 525mm;

1033 x 850 x 635mm;

 

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